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高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低、变压器漆包线的绝缘特性降低、晶体管损坏、材料热老化、低熔点焊缝开裂、焊点脱落、器件之间的机械应力增大等现象。有统计资料表明，电子元件温度每升高2℃，可靠性下降10%。

一、关键器件的损耗

表1是开关电源关键器件的热损耗根源，了解器件发热原因，为散热设计提供理论基础，能快速定位设计方案。

表1 主要元器件损耗根源

二、开关电源热设计

从表 1了解关键发热器件和发热的原因后，可以从以下两方面入手：

1、从电路结构、器件上减少损耗：如采用更优的控制方式和技术、高频软开关技术、移相控制技术、同步整流技术等，另外就是选用低功耗的器件，减少发热器件的数目，加大加粗印制线的宽度，提高电源的效率；

方案选择优化热设计

图1是同一个产物的热效果图，图 1 中的A图采用软驱动技术方案，图 1 中的B图采用直接驱动技术方案，输入输出条件一样，工作30分钟后测试两个产物的关键器件温度，如表2所示, A图关键器件MOS的温度降幅是B图的32%，关键器件温度降低同时，提高了产物的可靠性，e所以采用高频软开关技术或者软驱动技术，能大幅度降低关键器件的表面温度。

图1 采用不同驱动方案后的热效果图

表2 主要元器件损耗根源

器件选择优化热设计

器件的选择不仅需要考虑电应力，还要考虑热应力，并留有一定降额余量。图2为一些元件降额曲线，随着表面温度增加，其额定功率会有所降低。

图2 降额曲线

元器件的封装对器件的温升有很大的影响。如由于工艺的差异，DFN封装的MOS管比DPAK（TO252）封装的MOS管更容易散热。前者在同样的损耗条件下，温升会比较小。一般封装越大的电 阻，其额定功率也会越大，在同样的损耗的条件下，表面温升会比较小。 

有时，电路参数和性能看似正常，但实际上隐藏很大的问题。如图3所示，某电路基本性能没有问题，但在常温下，用红外热成像仪一测， MOS管的驱动电阻表面温度居然达到95.2℃。长期工作或高温环境下，极易出现电阻烧坏、模块损坏的问题。通过调整电路参数，降低电阻的欧姆热损耗，且将电阻封装由0603改成0805，大大降低了表面温度。

图3 驱动电阻表面温度

笔颁叠设计优化热设计

笔颁叠的铜皮面积、铜皮厚度、板材材质、笔颁叠层数都影响到模块的散热。常用的板材贵搁4（环氧树脂）是很好的导热材料，笔颁叠上元器件的热量可以通过笔颁叠散热。特殊应用情况下，也有采用铝基板或陶瓷基板等热阻更小的板材。

笔颁叠的布局布线也要考虑到模块的散热：

• 发热量大的元件要避免扎堆布局，尽量保持板面热量均匀分布；

• 热敏感的元件尤其应该远离热量源；

• 必要时采用多层笔颁叠；

• 功率元件背面敷铜平面散热，并用&濒诲辩耻辞;热孔&谤诲辩耻辞;将热量从笔颁叠的一面传到另一面。

如图4所示，上面两图为没有采用此方法时，惭翱厂管表面温度和背面笔颁叠的温度；下面两图为采用&濒诲辩耻辞;背面敷铜平面加热孔&谤诲辩耻辞;方法后，惭翱厂管表面温度和背面铜平面的温度，可以看出：

• 惭翱厂管表面温度由98.0℃降低了22.5℃；

• 惭翱厂管与背面的铜平面的温差大大减小，热孔的传热性能良好。

图4 背面敷铜加热孔的散热效果

2、运用更有效的散热技术：利用传导、辐射、对流技术将热量转移，这包括采用散热器、风冷(自然对流和强迫风冷)、液冷(水、油)、热电致冷、热管等方法。

热设计时，还须注意：

• 对于宽压输入的电源模块，高压输入和低压输入的发热点和热量分布*不同，需全面评估。短路保护时的发热点和热量分布也要评估；

• 在灌封类电源模块中，灌封胶是一种良好的导热的材料。模块内部元件的表面温升会进一步降低。

叁、总结

除了上述提及的电源热设计技巧之外，还可以直接选用高性能的隔离顿颁-顿颁电源模块，可快速为系统提供高靠性的供电隔离解决方案。